leyu





      • 漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      83

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      99

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      40

      通（tōng）道极（jí）性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述：

      600V，99mΩ，40A，N沟（gōu）道基于（yú）超（chāo）级（jí）结技（jì）术的功率（lǜ）MOSFET



      leyu

      leyu