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      • 漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      150

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      180

      最大（dà）漏极电流（liú）Id(on)(A)：

      20

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述（shù）：

      600V,180mΩ,20A,N沟道基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET


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