leyu





      • 漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      700

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      850

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      5

      通（tōng）道极性：

      N沟道

      封（fēng）装（zhuāng）/温度(℃)：

      TO-251-3L(IPAK)/-55~125

      描述：

      650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级（jí）结技术的功（gōng）率MOSFET



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