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      • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

      20

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3/-55~125

      描述：

      600V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道基于超级结技（jì）术（shù）的功率（lǜ）MOSFET


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